第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，有許多不可替代的優(yōu)異性質(zhì)，應用領(lǐng)域廣泛，是國家重大需求和國際高科技產(chǎn)業(yè)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一，正處于產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵窗口期。

以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優(yōu)勢，可實(shí)現功率模塊小型化、輕量化。主要應用于新能源汽車(chē)/充電樁、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天等領(lǐng)域。氮化鎵作為寬禁帶半導體的“門(mén)面”之一，隨著(zhù)技術(shù)的不斷升級，性能被進(jìn)一步開(kāi)發(fā)，開(kāi)始強勢“破圈”，不再局限于快充等消費電子市場(chǎng)，而是向新能源汽車(chē)、數據中心、可再生能源等高速發(fā)展的熱門(mén)領(lǐng)域持續推進(jìn)。數據顯示，2022年全球氮化鎵功率器件市場(chǎng)規模為1.8億美元，到2026年將有望達13.3億美元，年均復合增長(cháng)率達65%。

第三代半導體寫(xiě)入“十四五”規劃后，市場(chǎng)上對該半導體的需求和要求越來(lái)越高，市場(chǎng)規模將持續穩定升高，行業(yè)也將在市場(chǎng)的催化下迭代升級，產(chǎn)品性能功能也將不斷完善。未來(lái)，在市場(chǎng)規模趨勢方面，我國第三代半導體行業(yè)將持續保持高速增長(cháng);在細分產(chǎn)品發(fā)展趨勢方面，SiC需求將會(huì )增長(cháng)，GaN應用場(chǎng)景將進(jìn)一步拓展;在技術(shù)發(fā)展趨勢方面，大尺寸Si基GaN外延等問(wèn)題將會(huì )有所進(jìn)展。

半導體在線(xiàn)分別于2022年8月、2023年3月在蘇州組織了第一屆和第二屆第三代半導體會(huì )議，與會(huì )人員累計超過(guò)1500人，并得到了與會(huì )者的一致好評。為了促進(jìn)第三代半導體材料領(lǐng)域的相互交流與合作，半導體在線(xiàn)將于2024年3月28日-29日（27日簽到）在蘇州組織召開(kāi)2024年第三屆第三代半導體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì )，旨在提供協(xié)同創(chuàng )新的高質(zhì)量交流平臺，推動(dòng)國內第三代半導體材料的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。